Обзор модулей DDR2 выполнен в том же порядке, в каком проводилось их тестирование. Сначала проверялись модули памяти стандарта PC2-5300, а следом и три пары стандарта PC2-6400. Все модули небуферизованные, без поддержки режима коррекции ошибок (Non ECC) и имеют двустороннее расположение BGA микросхем.
Samsung PC2-5300 M378T2953EZ3-CE6
реклама
16 микросхем DDR2 памяти расположены с двух сторон PCB. На одной из сторон наклеен гарантийный стикер с информацией об объёме памяти, её организации, стандарте и основных таймингах:
Там же указано, что произведена память в Китае на 35-й неделе 2007 года. Микросхемы имеют маркировку ZCE6 K4T51083QE:
реклама
Номинальное напряжение чипов равно 1.8 В. Микросхема SPD модулей содержит информацию о трёх сочетаниях таймингов и частотах работы памяти:
Для бюджетной DDR2 памяти с номинальной частотой в 667 МГц значения основных таймингов 5-5-5-15 являются наиболее часто встречающимся сочетанием, и сегодня мы с вами ещё не раз в этом сможем убедиться.
Оверклокерский потенциал модулей Samsung PC2-5300 M378T2953EZ3-CE6 оказался довольно неплохим. На номинальном напряжении в 1.8 В с таймингами 5-5-5-15 частоту без потери в стабильности удалось повысить до 837 МГц. Ступенчатое увеличение напряжения до 2.0 В, а затем и до 2.2 В позволило ещё немного поднять эффективную частоту работы модулей, а именно: до 860 МГц и 877 МГц, соответственно. Последний результат оказался наиболее быстрым по производительности для рассматриваемых модулей Samsung:
С таймингами 4-4-4-12 память смогла стабильно функционировать лишь на частоте в 713 МГц при напряжении в 2.2 В (702 МГц при 2.0 В и 682 МГц при 1.8 В). С одной стороны, совершенно не впечатляющий по современным меркам результат, а с другой – получается, что память способна функционировать даже с более низкими чем в SPD таймингами (причем существенно) и причём на несколько повышенной относительно номинальной частоте.
При стоимости одного модуля Samsung PC2-5300 M378T2953EZ3-CE6 в 22.7 доллара США, на мой взгляд, вполне достойные результаты разгона.
PQI PC2-5300 MEADR428LA0108-07C6
Продукция компании PQI представлена сегодня только двумя модулями DDR2-667 общим объёмом в 2 Гб. Здесь используется та же организация модулей, что и у рассмотренных выше Samsung:
На стикере, являющимся гарантийным, указаны тип памяти и её стандарт, объём, а также маркировка модели:
Маркировка чипов памяти – PQC2648Y3R 0736 (Powerchip):
реклама
По всей видимости, микросхемы произведены на 36-й неделе 2007 года. Их номинальное напряжение составляет 1.8 В, что подтверждается информацией из SPD модулей:
Интересно, что в наименовании модулей присутствует строка "Power Quotient", а вовсе не сокращенно PQI, как прежде. Не стоит удивляться, так как аббревиатура PQI и расшифровывается как Power Quotient International. Содержимое же SPD модулей вполне стандартно и отдельно отметить здесь совершенно нечего.
Оверклокерский потенциал памяти оказался на среднем уровне или даже чуть ниже него. Так, с таймингами 4-4-4-12 на стандартном напряжении в 1.8 В память смогла функционировать лишь на частоте в 636 МГц. При увеличении напряжения до 2.0 В память охотно откликнулась ростом частоты до 698 МГц, а вот дальнейшее повышение напряжения до 2.2 В позволило повысить частоту уже только до 734 МГц. С таймингами 5-5-5-15 и на номинальном напряжении PQI PC2-5300 MEADR428LA0108-07C6 стабильно работала на 764 МГц. Повышение напряжения до 2.2 В позволило достичь частоты в 826 МГц. Этот результат и оказался лучшим по производительности:
реклама
Kingston PC2-5300 KVR667D2N5/1G
Далее у нас на очереди пара модулей от Kingston. Даже несмотря на их бюджетный класс, память поставляется в пластиковых коробочках с прозрачной верхней крышкой, в которых кроме непосредственно модулей памяти находится гарантийный талон с краткой памяткой покупателю и обязательствами компании-производителя.
Память выполнена на текстолите светло-зелёного цвета:
реклама
На гарантийном стикере представлена информация о стране производства, маркировке модулей, номинальном напряжении и серийном номере:
Известно, что компания Kingston не производит собственных микросхем памяти, тем не менее, маркированы чипы именно как Kingston:
реклама
Три профиля сочетаний таймингов и частоты работы памяти ничем не выделяются на фоне памяти других производителей, чью продукцию мы с вами сегодня изучаем. Для эффективной частоты в 667 МГц используется классическая схема 5-5-5-15.
В разгоне память одновременно и порадовала и разочаровала. Дело в том, что на номинальном напряжении в 1.8 В модули способны были стабильно функционировать на частоте в 782 МГц с таймингами 4-4-4-12 и на частоте в 837 МГц с таймингами 5-5-5-15. Казалось бы, вполне приличный результат и с учетом того, что достигнут он был на номинальном напряжении перспективы оверклокерам с такими модулями памяти открываются довольно заманчивые. Но не тут-то было, стоило только повысить напряжение до 2.0 В, как стабильная частота тут же резко снижалась до 762 МГц на таймингах 5-5-5-15 и до 714 МГц на таймингах 4-4-4-12. Да и дальнейшее повышение напряжения до 2.2 В ничуть не влияло на разгон. Таким образом, лучший по производительности результат для Kingston PC2-5300 KVR667D2N5 был достигнут именно на номинальном напряжении:
реклама
Kingston PC2-5300 KVR667D2N5K2
И ещё одна пара модулей от Kingston, только теперь уже в двухканальном комплекте. Пластиковый бокс нынче общий на оба модуля:
Внешне память напоминает только что рассмотренную пару от Kingston, тот же бледно-зелёный текстолит PCB:
реклама
Да и вообще, казалось бы, зачем делать обзор ещё одной пары модулей от этого же производителя с такими же характеристиками и даже с такой же маркой модулей? Но не спешите с выводами, как оказалось, перед нами совершенно иная память. Отличия начинаются уже с гарантийной наклейки на чипах:
Но самое главное, что двухканальный комплект Kingston основан на других микросхемах, теперь – производства Hynix:
реклама
За исключением серийного номера модулей и даты выпуска, содержимое SPD двухканального комплекта идентично оному у одиночных модулей Kingston.
Проверка памяти на разгон показала, что с таймингами 4-4-4-12 пара модулей Kingston без повышения напряжения способна стабильно работать на частоте в 676 МГц, что практически равно номиналу, но с более высокими таймингами. Двухступенчатое повышение напряжения с шагом в 0.2 В до 2.2 В помогло ещё несколько повысить максимальную частоту работы памяти, при которой сохранялась стабильность до 726 МГц. С таймингами 5-5-5-15, напротив, влияние напряжения на разгон было не столь продуктивным в плане повышения частоты работы памяти. В результате удалось достичь частоты в 876 МГц при напряжении в 2.0 В. При стандартном напряжении частота составила 837 МГц, а на 2.2 В – 857 МГц. Результат тестирования в памяти в тесте Everest на максимальной частоте при разгоне оказался следующим:
Стоимость двухканального комплекта Kingston PC2-5300 KVR667D2N5K2 общим объемом 2 Гб составляет 55 долларов США.
Corsair PC2-5300 VS1GB667D2
Компания Corsair является одним из общепризнанных оверклокерских брендов. Однако, помимо высокоскоростных модулей есть в ассортименте компании и недорогая память серии "Value Select", предназначенная для широкого круга пользователей. Поставляются такие модули в прозрачной пластиковой упаковке с картонным вкладышем внутри:
Сами модули отличаются от вышерассмотренных лишь внешне более простой PCB, менее насыщенной элементами:
На гарантийном стикере указаны принадлежность памяти к бюджетному сегменту и её модель:
Тайминги и номинальное напряжение работы модулей на наклейке не приведены. Непосредственно микросхемы памяти маркированы как Corsair 64M8CFEG QIB0900719 и выпущены на 19 неделе текущего года:
Содержимое SPD практически такое же, как и у модулей, с которыми мы уже познакомились сегодня:
При разгоне Corsair PC2-5300 VS1GB667D2 ничего впечатляющего не продемонстрировала. Зависимость от повышения напряжения на модулях практически никакая. Например, с таймингами 4-4-4-12 при напряжении в 1.8 В память смогла стабильно функционировать на частоте в 636 МГц, а при его повышении до 2.0 В только на 656 МГц. Дальнейшее повышение напряжения не способствовало росту оверклокерского потенциала модулей. На таймингах 5-5-5-15 удалось достичь только 780 МГц при напряжении в 2.2 В (775 МГц для 2.0 В и 760 МГц для 1.8 В).
Результаты тестирования производительности памяти в Everest при максимальном для неё разгоне представлены ниже:
Стоимость одного модуля Corsair PC2-5300 VS1GB667D2 составляет 27.1 долларов США.
- close Закрыть
Изображения товара Память DDR PC2-5300 Reg, FB, 8Gb
- Описание
Одна из самых важных деталей сервера – это модуль памяти. В DDR2 передача данных осуществляется с удвоенной скоростью, так как используются оба среза тактового сигнала. Они обеспечивают более высокую полосу пропускания, меньшее энергопотребление, их конструкция больше способствует охлаждению. В DDR2 содержится терминация на кристалле, предотвращающая отражение сигналов.
Память DDR PC2-5300 ECC Reg 8GB с полной буферизацией DIMM (DDR2-667) ECC (подходит для серверов HP Proliant DL360 G5, DL380 G5, DL580 G5, Dell 2950, Dell R900, Dell 1950)
Общие характеристики:
| Параметр | Значение |
| Тип памяти | DDR2 |
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
| Тактовая частота | 667MHz |
| Объем | 1 модуль 8 Гб |
| Поддержка ECC | есть |
| Буферизованная (Registered) | да |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| CAS Latency (CL) | 5 |
| Количество ранков | 2 |
Уважаемые покупатели.
Обращаем Ваше внимание, что размещенная на данном сайте справочная информация о товарах не является офертой, наличие и стоимость оборудования необходимо уточнить у менеджеров ООО "НАГ", которые с удовольствием помогут Вам в выборе оборудования и оформлении на него заказа.
Производитель оставляет за собой право изменять внешний вид, технические характеристики и комплектацию без уведомления.
DDR2 SDRAM (англ. double-data-rate two synchronous dynamic random access memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, второе поколение) — это тип оперативной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Пришла на смену памяти DDR SDRAM.
Память DDR2 была введена во втором квартале 2003 года, конкурентоспособной с DDR стала к концу 2004 года.
В 2010-х была в значительной степени вытеснена памятью стандарта DDR3.
Содержание
Описание [ править | править код ]
Как и DDR SDRAM, DDR2 SDRAM использует передачу данных как по фронту, так и по спаду тактового сигнала, за счёт чего при такой же частоте шины памяти, как и в обычной SDRAM, можно фактически удвоить скорость передачи данных (например, при работе DDR2 на частоте 100 МГц эквивалентная эффективная частота для SDRAM получается 200 МГц). Основное отличие DDR2 от DDR — вдвое большая частота работы шины, по которой данные передаются в буфер микросхемы памяти. При этом, чтобы обеспечить необходимый поток данных, передача на шину осуществляется из четырёх мест одновременно. Итоговые задержки оказываются выше, чем для DDR.
Конструктивное исполнение [ править | править код ]
Для применения в стандартных вычислительных системах использовались два конструктива — DIMM для настольных систем и SO-DIMM для мобильных. Для исключения путаницы с другими поколениями DDR памяти модули снабжены ключом в виде прорези, мешающей вставить модуль в неродной разъем. Модуль DIMM DDR2 имеет 240 контактов (по 120 с каждой стороны).
Интерфейс ввода-вывода: SSTL 18 Burst Length: 4/8 Prefetch Size: 4-bit Новые функции: ODT, OCD Calibration, Posted CAS, AL (Additive Latency)
Serial presence detect [ править | править код ]
На каждом модуле установлена микросхема ПЗУ, в которую производитель записывает электрические параметры этого модуля. Структура записи стандартизована для DDR2. Таким образом настройка параметров работы с модулем осуществляется автоматически.
Существуют утилиты, позволяющие просматривать информацию из микросхем SPD, например CPU-Z. Также существует утилита SPDTool, позволяющая изменять информацию в микросхеме SPD конкретных установленных в компьютере модулей, если она аппаратно не защищена от перезаписи производителем модуля.
Совместимость [ править | править код ]
DDR2 не является обратно совместимой с DDR, поэтому ключ на модулях DDR2 расположен в другом месте по сравнению с DDR и вставить модуль DDR2 в разъём DDR, не повредив последний (или первый), невозможно.
Не существует переходников для установки модулей DDR2 в слоты DDR. Существует переходник (GC-DDR21) производства Gigabyte для установки модулей DDR в слоты DDR2, но его можно рассматривать скорее как технологический курьез. Дело в том, что для функционирования такого переходника необходим контроллер памяти, обладающий способностью работать как с памятью типа DDR, так и DDR2 — VIA PT880 Pro (GA-8VT880P Combo).
Технические стандарты [ править | править код ]
Микросхемы [ править | править код ]
| Тип чипа | Частота памяти, МГц | Эффективная Частота, МГц | Эффективная (удвоенная) скорость, млн. передач/с |
|---|---|---|---|
| DDR2‑400 | 100 | 200 | 400 |
| DDR2‑533 | 133 | 266 | 533 |
| DDR2‑667 | 166 | 333 | 667 |
| DDR2‑800 | 200 | 400 | 800 |
| DDR2‑1066 | 266 | 533 | 1066 |
Модули [ править | править код ]
Для использования в ПК DDR2 RAM поставляется в модулях DIMM с 240 контактами и одним ключом (прорезью в полосе контактов). DIMM’ы различаются по максимальной скорости передачи данных (часто называемой пропускной способностью).
| Название модуля | Эффективная Частота, МГц | Тип | Пиковая скорость передачи данных, МБ/с |
|---|---|---|---|
| PC2‑3200 | 200 | DDR2‑400 | 3200 |
| PC2‑4200 | 266 | DDR2‑533 | 4266 |
| PC2‑5300 | 333 | DDR2‑667 | 5333 |
| PC2‑5400 | 337 | DDR2‑675 | 5400 |
| PC2‑5600 | 350 | DDR2‑700 | 5600 |
| PC2‑5700 | 355 | DDR2‑711 | 5689 |
| PC2‑6000 | 375 | DDR2‑750 | 6000 |
| PC2‑6400 | 400 | DDR2‑800 | 6400 |
| PC2‑7100 | 444 | DDR2‑888 | 7111 |
| PC2‑7200 | 450 | DDR2‑900 | 7200 |
| PC2‑8000 | 500 | DDR2‑1000 | 8000 |
| PC2‑8500 | 533 | DDR2‑1066 | 8533 |
| PC2‑9200 | 575 | DDR2‑1150 | 9200 |
| PC2‑9600 | 600 | DDR2‑1200 | 9600 |
Быстрейшей серийно выпускаемой памятью DDR2 является Team Xtreem PC2-10400, которая, однако, имеет большие задержки — 6-6-6-х и повышенное напряжение питания — 2,35-2,45 В. Для таймингов 5-5-5-х, по-видимому, быстрейшими серийными модулями являются PC2-9600, а для 4-4-4-х — PC2-8888 производства Corsair и Geil Ultra Plus PC2-9280. Существуют также модули с наименьшими задержками, CL3, со значительно меньшей скоростью работы. Самыми быстрыми из них являются PC2-6400 [1] .
Помимо разделения по пропускной способности и ёмкости, модули делятся по:
- наличию дополнительного чипа памяти для кода коррекции ошибок. Обозначаются символами ECC, например, так: PC2-6400 ECC;
- наличию специализированной микросхемы адресации — register. «Обычные» модули обозначаются как «non-registered» или «unbuffered». Регистр в буферизированных — «registered» — модулях улучшает качество сигнала командно-адресных линий (ценой дополнительного такта задержки при обращении), что позволяет поднять частоты и использовать до 36 микросхем памяти на модуль, создавая модули повышенной ёмкости, которые обычно применяются в серверах и рабочих станциях. Практически все выпускающиеся сейчас модули DDR2 Reg также оснащены ECC.
- наличию микросхемы AMB (Advanced Memory Buffer). Такие модули называются полностью буферированными (fully buffered), обозначаются буквами F или FB и имеют другое расположение ключа на модуле. Это дальнейшее развитие идеи registered модулей — Advanced Memory Buffer осуществляет буферизацию не только сигналов адреса, но и данных, и использует последовательную шину к контроллеру памяти вместо параллельной. Эти модули нельзя устанавливать в материнские платы, разработанные для других типов памяти, и положение ключа этому препятствует.
Как правило, даже если материнская плата поддерживает registered и unbuffered (обычная память) модули, модули разных типов (registered и unbuffered) не могут работать совместно на одном канале.
Несмотря на механическую совместимость разъёмов, Registered память просто не запустится в материнской плате, рассчитанной на применение обычной (небуферизованной) памяти и наоборот. Наличие/отсутствие ECC никоим образом не влияет на ситуацию. Всё это касается как обычной DDR, так и DDR2.
Категорически невозможно использовать регистровую память вместо обычной памяти и наоборот. Единственным исключением в настоящее время являются двухпроцессорные LGA1366 платы, которые работают как с обычной, так и с Registered DDR3, однако смешивать в одной системе два типа памяти нельзя.
Преимущества по сравнению с DDR
- Более высокая полоса пропускания
- Как правило, меньшее энергопотребление
- Улучшенная конструкция, способствующая охлаждению
Недостатки по сравнению с DDR
- Обычно более высокая CAS-латентность (от 3 до 6)
- Итоговые задержки при одинаковых (или даже более высоких) частотах оказываются выше
