Hynix hmt351u6cfr8c h9 разгон • Вэб-шпаргалка для интернет предпринимателей!

Содержание

Рубрики
Результаты разгона
Заключение
- реклама
Рекомендуем к прочтению

Рубрики

HDD (57)
SSD (92)
Аксессуары (кабели; переходники) (15)
Блоки питания (38)
Видео обзоры (50)
Видеокарты (129)
Видеорегистраторы (13)
Водяное охлаждение (20)
Гарнитуры (20)
Зарядные устройства (7)
Звуковые карты (10)
Игры (9)
Камеры (2)
Карты памяти (14)
Компьютеры (11)
Конкурсы (7)
Контроллеры вентиляторов (3)
Контрольная закупка (товары из Китая) (11)
Корпуса (36)
Манипуляторы (мыши, клавиатуры) (49)
Материнские платы (174)
Микрофоны (1)
Мониторы (58)
Моноблоки (5)
Навигаторы (2)
Неттопы (23)
Новости (880)
Ноутбуки (23)
Обзоры (1 078)
Обучающие материалы (42)
Оверклокинг (разгон) (52)
Оперативная память (38)
Оптические приводы (4)
Планшеты (16)
Полезные советы (21)
Программное обеспечение (21)
Проекторы (3)
Процессоры (14)
Сенсоры движения (1)
Сетевое оборудование (50)
Системы охлаждения (138)
Смартфоны (72)
Флешки (17)

Обзор и тестирование в номинале и в разгоне пары планок памяти по 4 Гб каждая Hynix HMT351U6CFR8C-H9.

Основные характеристики — 1333 МГц, 9-9-9-24, 1.5 В. В профилях указаны несколько иные настройки — 1370 МГц при 9-9-9-25 и 1522 при 10-10-10-28 (всё при напряжении 1.5 В).
Чипы изготовлены на 36-й неделе 2011 года. Маркировка — H5TQ2G83CFR-H9C.

Тестирование
Материнская плата ASUS Maximus V Gene
Процессор Intel Core i5-3570K @ 4500 МГц
Система охлаждения NZXT Havik 140
Видеокарта Point of View GeForce GTX 470 EXO
SSD Plextor PX-256M5P
Блок питания NZXT Hale82 650 Вт

Радиаторы на памяти не играют никакой роли. Память была проверена на разгон и без радиаторов и абсолютно ничего не изменилось.
Сначала протестируем память на заявленных частотах.

Субтайминги, выставленные материнской платой в режиме Auto:

AIDA64 Cache & Memory Benchmark

MaxxMEM 1.99

Разгон
А теперь посмотрим на что способны этим модули. Сначала проверим как их можно разогнать при стандартном для высокоскоростных модулей напряжении — 1.65 В.
В результате удалось получить 2200 МГц при таймингах 10-12-10-30 1Т.

Автоматически выставленные субтайминги:

AIDA64 Cache & Memory Benchmark

Было: чтение — 17055 MB/s, запись — 19859 MB/s, копирование — 18852 MB/s, задержка — 47.1 ns.
Стало: чтение — 23716 MB/s, запись — 23255 MB/s, копирование — 27170 MB/s, задержка — 35.1 ns.

MaxxMEM 1.99
Было: 1000.2 Marks
Стало: 1651.5 Marks

На этом я решил не останавливаться и попробовал ещё немного разогнать эти модули. В итоге удалось добиться частоты 2400 МГц при таймингах 11-13-11-32 1Т и напряжении 1.7 В.

AIDA64 Cache & Memory Benchmark

Было: чтение — 17055 MB/s, запись — 19859 MB/s, копирование — 18852 MB/s, задержка — 47.1 ns.
Стало (2200 МГц): чтение — 23716 MB/s, запись — 23255 MB/s, копирование — 27170 MB/s, задержка — 35.1 ns.
Стало (2400 МГц): чтение — 24716 MB/s, запись — 23528 MB/s, копирование — 28081 MB/s, задержка — 34.1 ns.

MaxxMEM 1.99
Было: 1000.2 Marks
Стало (2200 МГц): 1651.5 Marks
Стало (2400 МГц): 1757.7 Marks

Заключение

Среди дешёвых модулей памяти, Hynix HMT351U6CFR8C-H9 показал отличный разгонный потенциал (2400 МГц) и, в итоге, высокие скоростные характеристики. При этом оставаясь холодными.

Копирование любых материалов сайта допускается только с разрешения Администратора сайта (профиль, e-mail) и со ссылкой на источник.

По вопросам сотрудничества можно и нужно обращаться по этим же адресам 🙂

Результаты разгона

Для каждого из протестированных модулей приведены скриншоты (кликабельные, по ссылкам находятся более подробные варианты) с информацией из SPD, полученной при помощи программы Thaiphoon Burner v7.3.2.0 build 0822. Профили EPP/XMP/BEMP отсутствуют, что не удивительно для бюджетной памяти, которую производитель тестирует только в режимах, являющихся штатными для используемых микросхем.

Hynix Original HMT351U6CFR-H9 (Hynix H5TQ2G83CFR-H9C)

Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:

Память на микросхемах Hynix оправдала ожидания, продемонстрировав разгон почти до двух с половиной гигагерц, что составляет 187% от своей номинальной частоты. Также она показала хороший, почти линейный рост частоты от напряжения в интервале от 1.35 В до 1.75 В, но только на правильно подобранных таймингах. Для микросхем Hynix H5TQ2G83xFR-H9C тайминги лучше всего устанавливать по формуле X-(X+2)-(X+1), то есть tRCD на двойку больше tCL и tRP на единицу больше tCL. Для достижения высоких частот tRAS лучше устанавливать не ниже 28, а на не очень высоких частотах (до 2000-2100 МГц) можно использовать и более низкие значения для этого тайминга. В любом случае заметного влияния на производительность tRAS почти не оказывает. У данной памяти нет никаких проблем с работой Command Rate в значении 1T на всем диапазоне частот, повышение его до 2T не приводит к их увеличению.

На «ровных» таймингах рост частоты от напряжения выше штатного 1.50 В почти отсутствует и предел по частотам с ними гораздо ниже. Установка напряжений выше 1.75 В (были проверены до 1.90 В) уже не приводит к дальнейшему росту частоты, а только увеличивает нагрев. Установка таймингов выше 11-13-12-28 1T также не приводит к увеличению частоты, а при использовании «семерок» или ниже нормального разгона уже не получается.

Samsung Original M378B5273CH0-CH9 (SEC K4B2G0846C-HCH9)

Разгон памяти Samsung на микросхемах SEC K4B2G0846C-HCH9 тоже оказался неплох – до 2220 МГц по частоте, чего вполне достаточно для систем на основе процессоров Sandy Bridge, даже с небольшим повышением BCLK до 104 МГц.

Рост частоты от напряжения в интервале от 1.35 В до 1.50 В наблюдается при любых сочетаниях таймингов, а от 1.50 В до 1.65 В только при правильно подобранных. Выше 1.65 В реакция на напряжение почти отсутствует. Подняв его до 1.80-1.85 В можно получить как максимум еще один-два шага по частоте, то есть прирост составит не более 10-20 МГц. Повышение напряжения выше 1.65 В нерационально для микросхем Samsung C0, за исключением случаев, когда потенциала памяти немного не хватает, например, до достижения стандартной для Sandy Bridge частоты в 2133 МГц с таймингами в районе «десяток».

«Ровные» сочетания таймингов для микросхем Samsung так же, как и для Hynix, неоптимальны, что видно по слабой реакции на увеличение напряжения выше штатного при использовании комбинации 9-9-9. Но у Samsung, в отличие от Hynix, увеличение tRCD больше чем на единицу относительно tCL не приводит к положительному эффекту. Оптимальной формулой можно считать X-(X+1)-(X+1). При использовании таймингов выше, чем 10-11-11, частота памяти Samsung растет очень слабо, что видно на графике по результатам в режиме 11-13-12. У Samsung (как C0, так и D0), аналогично Hynix, нет необходимости в повышении Command Rate с 1T до 2T.

Samsung Original M378B5273DH0-CK0 (SEC K4B2G0846D-BCK0)

Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:

График с результатами разгона:

Если в разгоне памяти Hynix до частот в районе 2500 МГц нет ничего необычного, то получение результатов такого же уровня с микросхемами SEC K4B2G0846D-BCK0 стало приятным сюрпризом. Более того, если у Hynix для этого необходимо повышение напряжения до 1.75 В, то в случае с Samsung D0 его вообще не обязательно поднимать. Особенно стоит отметить результат в 2444 МГц с таймингами 10-11-11 и напряжением 1.50 B.

Память Samsung D0, в отличие от рассмотренной выше Samsung C0, очень слабо реагирует на поднятие напряжения. Увеличение его от 1.50 В до 1.65 В может дать еще 10-20 МГц по частоте, но не более. Однако это не мешает Samsung D0 достигать более высоких частот, нежели Samsung C0, даже с более низким напряжением. Формула оптимальных таймингов осталась прежней – X-(X+1)-(X+1).

Но не стоит забывать, что хотя эта память тоже относится к категории бюджетной, но она уже с номиналом в 1600 МГц и чуть более высокой ценой. Поэтому в процентном соотношении от номинала разгон у Hynix все же больше, так же, как и соотношение цены на мегагерц.

Данный режим может быть интересен для обладателей платформ с невысокими возможностями для разгона памяти по частоте (например, таких как Socket AM3 с процессорами Phenom II / Athlon II или Socket 1366 c процессорами на ядре Bloomfield). А для систем на основе Sandy Bridge интересен другой вариант – до 2239 МГц с таймингами 9-10-10 и напряжением 1.50 В. В любом случае даже этот, не самый удачный вариант памяти Samsung D0, оказался лучше, чем Samsung C0.

Заключение

Нет необходимости описывать недостатки и преимущества раздельно для каждого типа протестированной памяти. В случае бюджетных модулей они совпадают не только для микросхем Hynix, но и для всех разновидностей Samsung.

[+] Крайне низкая цена и лучшее соотношение цены к объему.
[+] Отличный разгон. Вы можете рассчитывать на частоты в интервале от 2200 до 2500 МГц, чего хватит для всех современных платформ. Даже если вам не удастся найти в продаже оригинальные модули самих Hynix или Samsung, можете смело брать любую другую память, если на ней установлены точно такие же микросхемы Hynix или Samsung. На данный момент их используют многие производители модулей памяти, не занимающиеся выпуском собственных микросхем, и часть из них маркировку не меняет.
[+] Данная память не требует высокого напряжения для полного раскрытия своего потенциала. Нет необходимости использовать радиаторы или дополнительный обдув. Достаточно слабого потока воздуха от кулера на процессоре.

Данную память можно рекомендовать для всех. Особенно в то время пока она стоит очень небольших денег. Даже если прямо сейчас вам не нужен большой объем, есть смысл взять с запасом два модуля по четыре гигабайта, на случай возможного подорожания памяти в будущем.

Единственное «применение», для которого любые планки памяти объемом 4 Гбайта совершенно не подходят – это получение рекордных результатов в 2D-бенчмарках, таких как Super Pi. Но те, кто может рассчитывать на такие результаты в бенчмарках, и сами прекрасно это знают. Но, с другой стороны, в плане достижения рекордно высоких частот (выше 3 ГГц) конкурентов у микросхем Hynix сейчас просто нет.

Вопрос изучения производительности памяти с разными сочетаниями частоты и таймингов остался за рамками данного исследования. Но вкратце могу сказать, что на Sandy Bridge некоторая польза от разгона памяти по частоте все-таки есть. А производительность процессоров AMD на ядре Zambezi не спасёт никакой разгон памяти, даже до 3 ГГц.

Вообще-то эта заметка должна была быть короткой, но, поскольку тесты заняли у меня определенное время, пусть будет немного больше.

Все началось с перехода на матплату с ДДР3. Уже и не помню сколько лет назад это было. Тогда с материнкой я сразу взял две планки Patriot по 2 Гб с частотой 1600 МГц в "Хлама.нет" (кстати, они вообще не разгонялись — выше 1600 брать никак не получалось).

В сумме получилось 4 Гб. В те времена это было "много". Затем постепенно поменял три материнки и в продаже начали появляться 4-гиговые планки. И я захотел "апгрейднуться". Так уж получилось, что в тот момент, когда я брал пару 4-гиговых планок, оптимальных цен на 1600-частотные не было и взял в "Мониторе" обычные Patriot на 1333 МГц (стало 8 Гб). Через месяц, эксперимента ради взял еще такую же пару планок (стало 16 Гб). Благо материнка поддерживает до 32 Гб. Эти планки на 1333 стабильно разгонялись без повышения таймингов, без повышения напряжения до 1600 МГц. Но никак не выше.

И в субботу купил две планки DDR3 по 4 Гб фирмы Hynix (Hyundai Electronics). Они оказались с партийным номером HMT351U6CFR8C-H9, который был отмечен на форумах overclockers.ru

Эта партия знаменита тем, что в большинстве случаев способна разгоняться с "родных" 1333 МГц до стабильных 2133 МГц.

К моей радости именно эта партия оказалась у нас в свободной продаже в одном из магазинов Якутска.

Планка выпускается без радиаторов, но, что интересно отметить, она вообще не греется (в том числе и при 100% нагрузке тестами) ни при номинальной частоте в 1333 МГц (1,50 В), ни при 2133 МГц (1,59 В). Выходит, в данном случае радиаторы тут и не нужны.

Например, вот что написал про эту память овер с форума оверклокерс:

Hynix Original DDR3 PC3-10600

Номинал: (1333 MHz) 9-9-9-27 1.50v

Разгон: (1866 Mhz) 9-10-9-30 1.55v

Разгон: (2133 Mhz) 10-12-11-30 1.57v

Разгон MAX: при поднятии vccio до 1.120v берет (2271mhz) 11-12-11-30 1.59v

Поместил я две планки Hynix в двухканальном режиме. И сразу же перед первым запуском сделал очистку CMOS. Зашел в виндоус — посмотрел в CPU-Z — память определилась правильно.

Затем перезагрузил и выставил частоту памяти 2133 МГц при вольтаже 1,59 В (на форуме писали, что данной напруги с избытком хватит в большинстве случаев) и "щадящих" таймингах 11-12-11-30-2Т (опять же в большинстве случаев данные тайминги выставил с "запасом"). Кстати, должен сразу написать, что "работать" буду только над 4-мя основными таймингами, которые наиболее сильно влияют на производительность памяти.

Все запустилось — в виндоус зашел. Поскольку из свежих стресс-тест-программ, использующих оперативную память у меня был только LinX, то на первое время решил применить в тестах только его. Однако, общеизвестно, что ни одна программа не может ОДНОЗНАЧНО и быстро выявить ошибки работы памяти. Обязательно нужно тестировать в течение долгого времени на различных типах стресс-программ, хорошо использующих оперативу при своей работе. К примеру, в ветке "Методика тестирования памяти" на оверклокерс.ру рекомендуют — [далее — список программ]

В тесте LinX использовал 6500 Мб памяти из установленных 8 Гб.

Продолжительность — 10 проходов.

Контроль всех напряжений, всех видов частот, таймингов памяти и температур — CPU-Zх64 1.59, ASRock eXtreme Tuner 0.1.54, Core Temp 0.99.8.

11-12-11-30-2Т — прошел все проходы стабильно.

Затем резко уменьшил все тайминги на единицу.

10-11-10-29-2Т — проход №7 линпак не прошел.

10-11-10-30-2Т — все 10 проходов линпак прошел.

9-11-10-30-2Т — не заходит.

10-10-10-30-2Т — не заходит.

10-11-9-30-2Т — при заходе идет БСОД.

10-11-10-30-1Т — проход №4 линпак не прошел.

Т.о. я выяснил, что в случае стресс-нагрузки линпаком минимальными таймингами при частоте 2133 МГц, обеспечивающими стабильность, являются следущие цифры: 10-11-10-30-2Т.

В воскресенье сходил в магазин и купил второй набор тех же планок: 2 шт. х 4 Гб.

HMT351U6CFR8C-H9 — та же партия, что в верхнем наборе, различаются только неделей выпуска.

Тестирую второй комплект.

По номиналу: 1333 МГц, 9-9-9-25, 1,50 В.

Напряжение для разгона по таймингам увеличил до 1,59 В.

Частота — 2133 МГц.

11-12-11-30-2Т — в виндоус заходит, не тестировал

10-11-10-30-2Т — не заходит

11-11-10-30-2Т — не заходит

11-11-11-30-2Т — не заходит

11-12-11-30-2Т — прошел все проходы стабильно.

Теперь протестирую все четыре планки: "комплект_1" + "комплект_2"

По номиналу: 9-9-9-25, 1,50 В — все стабильно. Все заходит и работает, впрочем, так и должно быть — поскольку разгона нет.

Также сделал clear_cmos после установки всех 4 плвнок на материнку.

Напряжение для разгона по таймингам снова увеличил до 1,59 В.

Частота — 2133 МГц. Тайминги — 11-12-11-30-2Т. Не заходит.

Частота — 2133 МГц. Тайминги — 12-13-12-35-2Т. Не заходит.

Разгон по частоте убрал до родных 1333 МГц.

1333 МГц, 11-12-11-30-2Т. Все равно не заходит.

1333 МГц, 10-11-10-30-2Т. Заходит в виндоус.

1600 МГц, 10-11-10-30-2Т. Заходит в виндоус.

1866 МГц, 10-11-10-30-2Т. Заходит в виндоус.

Попытка увеличить первый тайминг на единицу приводит к полному стопору. Комп уходит в "несознанку".

Такая же фигня при изменении второго и третьего таймингов. Т.е. их увеличить нельзя. Уменьшить тоже нельзя. Увеличение напряжения на память до 1,7 не помогает никак. Четвертый тайминг не трогал вообще — пусть таким и остается.

Таким образом разгон для четырех планок пришел лишь к одному концу:

1866 МГц, 10-11-10-30-2Т. Напряжение уменьшил с 1,59 до 1,56 В. Попробую тестить на этом напряжении. Вроде пока все нормально.

Конфигурация тестового компьютера:

= процессор Intel Core i5 2500K, 4600 MHz, 1,350 В;

= кулер ThermalRight Silver Arrow, TR TY-140 х 2 шт. x 1300 rpm;

= матплата ASRock P67 Extreme6 P67 (bios P1.60);

= память DDR3, 2 x 4 Gb 1333 МГц, Hynix HMT351U6CFR8C-H9, 1,50 В, 9-9-9-25;

= хард 500Gb, WD5000AAKS (SATA2, 7200 rpm, 16 Mb);

= корпус Lian Li PC-A70FB, и 4 штуки родных встроенных вентилятора + открытая боковая стенка;

= реобас Zalman ZM-MFC1 Plus;

= БП AeroCool Strike-X 1100 (1100 W, 80+ Gold);

= видео Inno 3D Geforce GTX570 (732/1464/3800, 1,000 V) — референсная СО заменена на DeepCool V6000;

= монитор 24" Acer P246H 1920*1080.

2133/1333 = 1,6 — прирост 60% по частоте.

1866/1333 = 1,4 — прирост 40% по частоте.

Разгон с 1333 МГц до 2133 технически и практически оправдан, несмотря на некоторое увеличение таймингов. Причины:

— увеличение частоты на 40%-60% влияет на прирост производительности памяти сильнее, нежели увеличение таймингов;

— увеличение напряжения с "родных" 1,50 до 1,55-1,59 В не приводит к нагреву микросхем памяти (даже при долговременных нагрузках);

— стоимость стандартной памяти ДДР3 в планках 4 Гб от Hynix крайне низкая (700 р.). Особенно это заметно при сравнении с фирменными разогнанными планками памяти, которые имеют повышенное напряжение (до 1,65 В и выше) и цены как минимум в раза выше (особенно планки с частотами 1866-2133 МГц). Хотя им в оправдание можно записать:

а) хорошо пригнанный радиатор, который и красив, и обеспечивает должный теплоотвод;

б) отбор планок на фабриках — т.е. теоретически у них выше вероятность более высокого разгона.

Слухи о том, что заведомо разгонябельные планки при установке их в четыре штуки теряют свой частотный потенциал — подтвердились. Это на самом деле так.

III. Конечно, прирост по частоте на 60% — это очень хороший результат.

Но так ли он хорош "в жизни", так сказать.

В синтетике прирост однозначно будет, а в практических приложениях, думается, будет, но не 60%, конечно.

В общем, посмотрим. Отпишусь после тестов.

Теперь следует вопрос — "Что я буду делать с планками?"

1. В дальнейшем планирую оставить лишь первый набор "2 шт. х 4 Гб", с таймингами 10-11-10-30-2Т на 2133 МГц (как более удачный вариант разгона).

2. А эти планки выставлю на продажу на доске:

= 2 шт. х 4 Гб с таймингами 11-12-11-30-2Т при 2133 МГц (Hynix).

= 4 шт. х 4 Гб с таймингами 9-9-9-28 с "родными" 1600 МГц (Kingston).