250 Гб ssd накопитель samsung 850 evo

Илья Гавриченков

20 января 2015

Компания Samsung за несколько последних лет смогла не только завоевать звание лидера рынка потребительских SSD, но и стать на этом рынке самым главным новатором. Первыми твердотельными накопителями, которыми Samsung смогла привлечь серьёзное внимание к собственным продуктам, стали представители вышедшей в 2011 году серии SSD 830. А уже через год, с появлением 840 Pro, накопители Samsung стали своеобразным «золотым стандартом» — лучшими SATA SSD для высокопроизводительных персональных компьютеров верхнего ценового сегмента. Попутно Samsung боролась и за массового пользователя: для этой категории потребителей были выпущены специальные накопители серий 840 и 840 EVO. Используя свои огромные производственные и инженерные возможности, в этих накопителях компания Samsung смогла первой на рынке внедрить трёхбитовую TLC NAND, чем добилась существенного снижения себестоимости накопителей. Вертикальная интегрированность самсунговского производства SSD — отличный козырь при внедрении любых новых технологий, и с применением в потребительских твердотельных накопителях TLC-памяти компания смогла опередить ближайших конкурентов как минимум на пару лет.

Инновации продолжаются и по сей день. Огромный скачок вперёд Samsung сделала в 2013 году, когда смогла начать серийный выпуск трёхмерной флеш-памяти, 3D V-NAND. Трёхмерная память легко решает проблему масштабируемости кристаллов флеш-памяти и дальнейшего наращивания плотности хранения данных в них. Очевидно, что традиционный экстенсивный путь, предполагающий удешевление производства флеш-памяти за счёт внедрения новых технологических процессов с более тонкими нормами, в ближайшем будущем натолкнётся на серьёзные фундаментальные препятствия. Освоив же технологию выпуска многослойных кристаллов флеш-памяти, Samsung получила огромный простор для дальнейшего беспрепятственного движения вперёд. Выпущенный в середине прошлого года SSD 850 Pro, ставший первым серийным флеш-накопителем на базе 32-слойной MLC 3D V-NAND, продемонстрировал огромный потенциал новой технологии. Выход структуры флеш-памяти в третье измерение ознаменовался заметным увеличением производительности и существенным ростом надёжности, в результате чего Samsung 850 Pro получил звание одного из лучших твердотельных SATA-накопителей современности для энтузиастов.

Однако у Samsung 850 Pro всё-таки есть один неприятный, с точки зрения обычного пользователя, изъян. Этот накопитель, как и всякий флагманский продукт, имеет достаточно высокую цену. Поэтому вслед за этой моделью Samsung , которую в её стремительном движении по пути прогресса не может остановить уже, похоже, ничто, выпустила другой SSD — 850 EVO. Этот накопитель базируется ещё на одной разновидности принципиально новой трёхмерной флеш-памяти, которая объединяет передовую многослойную 3D V-NAND-структуру с удешевлённой архитектурой TLC NAND. И в результате в лице Samsung 850 EVO вырисовывается массовый продукт, претендующий на то, чтобы стать непревзойдённым вариантом по соотношению цены, производительности и надёжности. По крайней мере в теории всё выглядит именно так.

Для того же, чтобы проверить эту красивую легенду, мы взяли на тесты пару экземпляров Samsung 850 EVO. Эти накопители только-только появляются в продаже, и поэтому результаты их тестов вызывают огромный практический интерес.

⇡#Технические характеристики

Несмотря на все нововведения, новый твердотельный накопитель Samsung 850 EVO — прямой наследник предыдущей массовой модели, 840 EVO. Ключевыми компонентами, обеспечивающими хорошие потребительские характеристики 840 EVO, выступали TLC-память, собственный контроллер Samsung и технология TurboWrite. В новом SSD 850 EVO набор почти такой же, просто поновее: на место TLC NAND пришла трёхмерная TLC V-NAND, вместо контроллера Samsung MEX используется обновлённый контроллер Samsung MGX, никуда не делась и технология TurboWrite, в описании которой добавилось прилагательное «усовершенствованная». Взглянем на весь этот набор по порядку.

Естественно, самое главное и самое интересное в Samsung 850 EVO — это трёхмерная трёхбитовая память. И о 3D NAND, и о TLC NAND мы уже говорили ранее в соответствующих обзорах. Но теперь обе эти технологии слились воедино, и, надо сказать, получилось у них это очень органично. У обычной планарной TLC-памяти есть две проблемы, уходящие корнями в сам принцип её функционирования: низкая скорость и низкая надёжность. Связано это с тем, что ячейки TLC NAND для хранения трёх бит данных должны различать восемь уровней напряжения, в то время как, например, в MLC NAND используется лишь четыре уровня. Поэтому программирование и снятие уровня напряжения в TLC NAND занимает больше времени, а надёжность хранения сильно страдает от износа полупроводниковой структуры ячейки: даже небольшое утончение слоя диэлектрика может приводить к утечке заряда с плавающего затвора. Более того, с внедрением новых, более «тонких» техпроцессов проблема выносливости ячеек TLC NAND только усугубляется, так как компоненты каждой ячейки приобретают меньшие геометрические размеры изначально.

Ключевая же идея 3D V-NAND заключается в том, что более плотного хранения информации в кристаллах флеш-памяти можно добиться не за счёт миниатюризации геометрии техпроцесса, а путём расположения ячеек в трёх плоскостях. Например, применяемая в Samsung 850 Pro трёхмерная MLC NAND имеет 32 слоя, и это позволяет при её производстве использовать 40-нм техпроцесс, но при этом всё равно получать полупроводниковые кристаллы с меньшей площадью, нежели у планарной MLC NAND, выпущенной по 16-нм нормам. Очевидно, что если аналогичный подход применить к TLC NAND, то проблема с надёжностью и отчасти со скоростью работы может быть легко решена. «Кондовые» 40-нм ячейки более устойчивы к износу, а их плавающий затвор может удерживать гораздо большее число электронов, обеспечивая уверенную вариативность при программировании и распознавании логических уровней. Иными словами, скрещивание технологий TLC и 3D V-NAND не меняет основных принципов функционирования трёхбитовой памяти, но попутное укрупнение ячеек приводит к их лучшей стабильности. Samsung, в частности, утверждает, что вероятность возникновения ошибок при снятии данных с её TLC V-NAND, произведённой по 40-нм нормам, примерно на порядок ниже, чем у планарной TLC-памяти.

Есть выигрыш и в скорости программирования. Планарная TLC NAND при записи данных требует подачи на управляющий затвор ячеек нескольких последовательных импульсов и многочисленных промежуточных проверок правильности программирования. С трёхмерной же TLC V-NAND число итераций удаётся сократить, и продолжительность операций записи снижается примерно на 50 процентов. Похожим образом сокращается и цикл чтения.

Как вы наверняка помните, полупроводниковые кристаллы современной 32-слойной MLC V-NAND, производимые по технологическому процессу с нормами 40 нм и применяемые в Samsung 850 Pro, имеют ёмкость 86 Гбит. Для Samsung 850 EVO память производится точно по такой же технологии, но, благодаря записи в каждую ячейку не двух, а трёх бит информации, ёмкость кристаллов возрастает в полтора раза — до 128 Гбит. При этом такие кристаллы имеют примерно вдвое меньшую площадь по сравнению с планарными 128-гигабитными кристаллами TLC NAND, которые Samsung производит по 19-нм техпроцессу. И это — прекрасная иллюстрация эффективности дизайна TLC V-NAND: с внедрением в неё трёхмерности Samsung не только добивается значительного улучшения характеристик скорости и надёжности дешёвой трёхбитовой памяти, но и дополнительно снижает свои издержки на её производство.

Учитывая, что 850 EVO в конечном итоге должен стать недорогим накопителем, Samsung не стала устанавливать в него и свой лучший контроллер MEX, который при использовании SATA-интерфейса позволяет получить максимальную скорость работы. Специально для модели 850 EVO был разработан новый упрощённый и более энергоэффективный контроллер MGX, который имеет лишь два, а не три ядра ARM Cortex-R4. Однако он производится по более современному техпроцессу, что позволило производителю поднять его частоту. В результате потеря в пиковой производительности составила всего лишь порядка 2-5 процентов, что вряд ли можно назвать серьёзной утратой. Более того, в терабайтной версии 850 EVO, где для обслуживания таблицы трансляции адресов действительно требуется хорошая производительность, используется старый контроллер MEX.

В результате линейка Samsung 850 EVO получила следующий набор характеристик:

Производитель	Samsung
Серия	850 EVO
Модельный номер	MZ-75E120	MZ-75E250	MZ-75E500	MZ-75E1T0
Форм-фактор	2,5 дюйма
Интерфейс	SATA 6 Гбит/с
Ёмкость	120 Гбайт	250 Гбайт	500 Гбайт	1 Тбайт
Конфигурация
Микросхемы памяти: тип, интерфейс, техпроцесс, производитель	Samsung 128 Гбит 40-нм TLC V-NAND
Микросхемы памяти: число / количество NAND-устройств в чипе	1/8	2/8	4/8	8/8
Контроллер	Samsung MGX			Samsung MEX
Буфер: тип, объем	LPDDR2-1066, 256 Мбайт	LPDDR2-1066, 512 Мбайт	LPDDR2-1066, 512 Мбайт	LPDDR2-1066, 1 Гбайт
Производительность
Макс. устойчивая скорость последовательного чтения	540 Мбайт/с	540 Мбайт/с	540 Мбайт/с	540 Мбайт/с
Макс. устойчивая скорость последовательной записи	520 Мбайт/с	520 Мбайт/с	520 Мбайт/с	520 Мбайт/с
Макс. скорость произвольного чтения (блоки по 4 Кбайт)	94000 IOPS	97000 IOPS	98000 IOPS	98000 IOPS
Макс. скорость произвольной записи (блоки по 4 Кбайт)	88000 IOPS	88000 IOPS	90000 IOPS	90000 IOPS
Физические характеристики
Потребляемая мощность: бездействие/чтение-запись	0,2 Вт/3,7-4,4 Вт
MTBF (среднее время наработки на отказ)	1,5 млн ч
Ресурс записи	75 Тбайт		150 Тбайт
Габаритные размеры: Д × В × Г	100 × 69,85 × 6,8 мм
Масса	66 г
Гарантийный срок	5 лет
Рекомендованная цена	$90	$135	$240	$470

В этой таблице прекрасно всё, ну или почти всё, за исключением стоимости. Samsung решила пока не ввязываться в ценовую войну с производителями дешёвых накопителей, а выступать со своей многообещающей новинкой в среднем рыночном сегменте. Впрочем, на то у неё есть все основания: всё-таки 850 EVO — достаточно производительный и надёжный SSD для того, чтобы его хорошо покупали и не по совсем бросовой цене.

Говоря о достоинствах Samsung 850 EVO, начать, пожалуй, стоит с того, что производитель даёт на этот флеш-привод пятилетнюю гарантию, что соответствует гарантийному сроку многих флагманских моделей. Более длительной гарантией обладают лишь Samsung 850 Pro и SanDisk Extreme Pro. И это значит, что Samsung ожидает от своей TLC V-NAND ресурса как минимум не хуже, чем у современной планарной MLC NAND. Об этом же говорят и заявленные показатели выносливости: для младших моделей разрешена запись по 41 Гбайт в день, а для старших — по 82 Гбайт ежедневно. То есть надёжность у Samsung 850 EVO явно выше среднего, а модификации на 500 Гбайт и 1 Тбайт и вовсе обладают таким же ресурсом, как и Samsung 850 Pro. Иными словами, с точки зрения заявленного ресурса Samsung 850 EVO куда ближе к дорогим, чем к бюджетным моделям.

Примерно то же можно сказать и о заявленных скоростных характеристиках. Отставание Samsung 850 EVO от старшего собрата 850 Pro, который мы считаем самым быстрым SSD сегодняшнего дня, чисто символическое, причём проявляется оно исключительно на операциях чтения. Похоже, что Samsung 850 EVO сможет и здесь конкурировать с флагманскими SATA SSD других производителей. Правда, следует понимать, что высокие скорости, заявленные в спецификациях, учитывают работу технологии TurboWrite, использующей для ускорения операций псевдо-SLC-кеш. И числа в таблице — это скорость работы кеша, то есть при длительных операциях с большими объёмами данных нас будет ожидать совсем иное быстродействие. Впрочем, размер быстрого кеша у Samsung 850 EVO не так уж и мал. Для моделей на 120 и 250 Гбайт его объём установлен на отметке 3 Гбайт, для модификации на 500 Гбайт — 6 Гбайт, а для терабайтного накопителя — 12 Гбайт. При записи данных на накопитель в первую очередь всегда заполняется этот скоростной буфер, а во время простоя данные из него переносятся в более медленную TLC-память. Таким образом, в обычной повседневной работе никакого падения производительности, скорее всего, заметно не будет.

Реализованы в Samsung 850 EVO и все остальные атрибуты добротного SSD. В нём есть поддержка энергосберегающего состояния DevSleep, а также аппаратный движок шифрования, который совместим со стандартами TCG Opal 2.0 и IEEE-1667 и может управляться из среды операционной системы, например через стандартное средство BitLocker.

Остаётся лишь напомнить, что твердотельные накопители компании Samsung снабжаются одной из лучших сервисных утилит Magican, версия которой к настоящему моменту доросла до 4.5. В этой утилите, помимо обычных возможностей для такого рода программ, есть и поддержка технологии RAPID 2.1 — программного кеширования операций ввода-вывода в оперативной памяти компьютера. На данном этапе развития эта технология получила возможность задействовать под кеш до 4 Гбайт памяти. Впрочем, мы всё ещё не рекомендуем пользоваться подобными функциями, так как они не гарантируют сохранности пользовательских данных при системных сбоях или внезапных отключениях питания.

⇡#Внешний вид и внутреннее устройство

Samsung 850 EVO основывается на контроллерах с восьмиканальной архитектурой, а TLC V-NAND, устанавливаемая в этих накопителях, имеет ядра ёмкостью 128 Гбит. Это означает, что достаточной для обеспечения максимальной производительности степенью внутреннего параллелизма обладают старшие модификации SSD ёмкостью 500 Гбайт и 1 Тбайт. Именно поэтому в нашем сегодняшнем тестировании принимают участие сразу два экземпляра новинки — объёмом 250 и 500 Гбайт.

Вполне естественно, что модификации Samsung 850 EVO разной ёмкости снаружи выглядят совершенно одинаково.

Для этого SSD используется точно такой же тонкостенный 2,5-дюймовый алюминиевый корпус высотой 7 мм, как во флагманской модели, 850 Pro. Внешний окрас — чёрный, на лицевой поверхности краской нанесён логотип Samsung и серый квадрат, в том или ином виде присутствующий на всех SSD компании такого же форм-фактора. На оборотной стороне корпуса имеется этикетка, из которой можно почерпнуть информацию о названии и ёмкости модели, её артикуле и серийном номере.

А вот внутренности Samsung 850 EVO смотрятся куда необычнее. Например, при вскрытии 250-гигабайтной модели мы были очень удивлены размерами печатной платы и тем, что на ней присутствует всего четыре микросхемы.

Внутри 500-гигабайтной модели использована плата чуть большего размера, однако ей всё равно очень далеко до того, чтобы заполнить всё пространство внутри корпуса.

Современные технологические процессы, которые использует Samsung при производстве начинки своих SSD, позволяют обходиться без каких-либо теплопроводящих прокладок или иных средств для отвода тепла от микросхем на поверхность корпуса. Не стали корейцы раскошеливаться и на реализацию усиленной схемы питания, позволяющей контроллеру корректно завершать работу с таблицей трансляции адресов при внезапных отключениях.

Что же касается номенклатуры используемых чипов, то в обоих случаях мы видим одинаковые базовые контроллеры Samsung MGX и одинаковые чипы флеш-памяти, каждый из которых имеет ёмкость 128 Гбайт и содержит внутри себя по восемь 16-гигабайтных кристаллов TLC V-NAND, произведённых по 40-нм техпроцессу. Не различаются у SSD ёмкостью 256 и 512 Гбайт и микросхемы оперативной памяти. В обоих случаях это LPDDR2 SDRAM объёмом 512 Мбайт.

Заметьте, никаких отдельных микросхем SLC NAND, обеспечивающих работу кеширующей технологии TurboWrite, внутри Samsung 850 EVO не предусмотрено. Вместо этого роль SLC-буфера играет небольшая часть ячеек TLC-памяти, выделенных из общего массива. Именно поэтому накопители серии 850 EVO имеют столь нетипичную линейку объёмов, кратных 250 Гбайт (за исключением младшей версии). Примерно 3,5 процента от общей вместимости флеш-памяти отводится на псевдо-SLC-кеширование, и ещё порядка 5,5 процента — на подменный фонд и работу технологий выравнивания износа и сборки мусора.

Ну и в заключение внешнего знакомства с Samsung 850 EVO — о комплекте поставки. Вернее, о его отсутствии: в коробке с SSD, кроме собственно твердотельного накопителя, вы не обнаружите ничего полезного, даже салазок для установки в 3,5-дюймовый отсек корпуса. В этом отношении рассматриваемая модель подобна всем остальным SSD данного производителя. Переходим к тестированию накопителя.

Samsung Installments	Samsung Private Lease
Upfront Payment
Monthly Payment
Months

Сообщить о наличии

Получайте уведомления о том, когда этот товар появится на складе и будет доступен для покупки. Для этого добавьте вашу электронную почту, и к вам будут приходить письма с уведомлениями.

Предоставляя свой адрес электронной почты, вы соглашаетесь на получение рекламы и сообщений об акциях и специальных предложениях от Samsung

Товар добавлен в корзину

Full HD Recording

Особенности технологии 3D V-NAND

В обычной флэш-памяти типа NAND плоские ячейки хранения информации. SSD накопители Samsung изготавливаются с использованием инновационной архитектуры 3D V-NAND с ячейками вертикальной формы, что позволяет устранить влияние ячеек друг на друга. Увеличение емкости достигается за счет расположения ячеек друг над другом в 32 слоя без ущерба надежности хранения данных и скорости работы. Такая конструкция позволяет создать одновременно емкую, быструю и надежную память.

Технология TurboWrite

Обеспечьте максимальную скорость чтения/записи для оптимизации скорости выполнения задач с технологией TurboWrite от компании Samsung. Накопители серии 850 EVO обеспечивают высочайшую производительность в своем классе с последовательной (sequential) скоростью чтения и записи, обеспечивая результат в 540/520 млн байт / сек соответственно.

Высокая надежность дисков

Накопители Samsung SSD 850 EVO обеспечивают гарантированно высокие скорости и надежность в пределах 5 лет непрерывного использования или 300 ТБ записи (что наступит раньше).

Объем накопителя 850 EVO до 4 ТБ

Большое разнообразие объемов дисков дает вам больше возможностей для выбора подходящего накопителя. Серия накопителей 850 EVO доступна в полном диапазоне до 4 ТБ .* Первый в отрасли SSD 4 ТБ для клиентских ПК, который позволяет хранить еще больше данных на одном SSD.

* Объемы mSATA и М.2 доступны до 1 ТБ.

Доступность серии 850 EVO в разных форматах

SSD-накопителии серии 850 EVO предназначены в первую очередь для пользовательских ПК и доступны в трех популярных форм-факторах: 2,5", M.2 и mSATA для тонких конфигураций.

Вступление

Героями нового обзора станут два твердотельных накопителя. Первый – малоизвестный, обладающий традиционным для Toshiba зубодробительным и трудновыговариваемым названием. Второй участник – тоже зубодробительный. Но не за счет названия, оно-то как раз простое (Samsung 850 EVO), а за счет уникальной для рынка аппаратной платформы, использующей флеш-память 3D TLC V-NAND.

Участники тестирования

Представим наших новых участников:

Toshiba THNSNJ256GCSU 256 Гбайт . Примерная цена в московской рознице – около 9 100 рублей;
Samsung 850 EVO 250 Гбайт (MZ-75E250BW). Примерная цена в московской рознице – около 9 500 рублей.

Цены указаны на момент написания данного материала.

Toshiba THNSNJ256GCSU 256 Гбайт

Из чего проистекает совершенно дикая для рядового потребителя система маркировок моделей. К примеру, THNSNH256GBST и THNSNS256GBST: первый основан на контроллере Marvell, а второй – SandForce. Из почти полутора десятков букв в маркировке отличается только одна, а разрыв в реальных потребительских характеристиках очень значителен. А еще есть обозначения вида THNSNH***EZSWA, THNSNH***EZSTA и так далее.

И все это благополучно попадает на прилавки, хотя официально Toshiba поставляет в розницу только две модели – Q Series (старое название – HG5d) и Q Series Pro. И вариантов поставки только два, при этом оба коробочные: базовый, где накопитель упакован в пакет-«дутик», а к нему прилагается несколько буклетов и пластиковая утолщающая рамка, и расширенный PC Upgrade Kit, в который добавлен адаптер SATA-USB, установочный адаптер-переходник 2.5"-3.5", шлейф SATA и прочее.

Взятый на тест накопитель THNSNJ256GCSU является еще одним ОЕМ-продуктом Toshiba без общедоступной информации об использованной аппаратной платформе и характеристиках, но, тем не менее, продающимся в обычных магазинах. Именно такой и попал к нам в лабораторию. Разумеется, без какой-либо упаковки и комплектации.

Внешний вид устройства можно считать оригинальным фирменным дизайном компании: в розничной продаже больше нет ни одного SSD с аналогичным оформлением. Среди кучи безликих одинаковых корпусов здесь просто бальзам на душу для человека, который не первый год занимается компьютерами, ибо дизайн решений Toshiba напоминает уже давно вышедшие из массового обращения флоппи-приводы. Ностальгия.

На обратной стороне «твердотельника» наклеена этикетка, из которой можно почерпнуть информацию, например, о версии микропрограммы.

Но за этой оригинальностью скрывается не самая радостная картина: Toshiba, обладая мощной инженерной и производственными базами, на сегодняшний день является единственным производителем флеш-памяти, не располагающим собственным контроллером NAND-памяти. Злая ирония: когда-то руководство компании не оценило перспектив флеш-памяти, и Фудзио Масуоке, создавшему ее, пришлось искать спонсоров не в стенах родной лаборатории, а вне оных.

Точно в такой же ситуации Toshiba затем оказалась и с контроллерами. В итоге она и поныне вынуждена довольствоваться сторонними разработками, в роли которых выступают Marvell, JMicron и SandForce. Но подход компании не лишен оригинальности и здесь: лицензируются только документация и сопутствующие патенты. Затем инженеры Toshiba вносят свои доработки, снабжают собственными версиями микропрограмм и выпускают в готовом виде, но исключительно под свои нужды.

Таковым является и рассматриваемый THNSNJ256GCSU объемом 256 Гбайт:

Сопутствующий микросхемам флеш-памяти контроллер несет свою собственную маркировку и лишен внешней микросхемы буферной памяти DRAM. Тем не менее, перед нами контроллер Marvell.

Еще одной доработкой инженеров Toshiba стало то, что контроллер и память работают в двух режимах: быстром и медленном. Суть первого заключается в том, что данные на накопителе пишутся по одному биту в каждую ячейку (его иногда называют режимом «псевдо-SLC») с увеличенной скоростью до того момента, пока не будет исчерпана половина свободного места. После чего диск резко переключается в обычный режим, попутно начиная приводить в порядок те ячейки, куда была записана информация в «ускоренном» режиме.

Быстрый режим записи всегда лимитирован лишь объемом свободного пользовательского пространства. К примеру, если на накопителе свободно 30 Гбайт, то 15 будут записаны именно в первом режиме. Нужно понимать, что такой эффект проявляется только при непрерывной записи данных. Поэтому в обычном пользовательском режиме объем записываемых «одной большой порцией» данных редко превышает даже один гигабайт, переключение в медленный режим происходить попросту не будет, а саморасчистка будет выполняться в фоновом режиме, незаметно для пользователя.

В кои-то веки Toshiba, наконец, выпустила собственное программное обеспечение для обслуживания ее накопителей. Хотя функциональность этого программного пакета оставляет желать лучшего.

Интерфейс – только англоязычный, встроенная справка – в отдельном файле pdf, функция обновления микропрограммы контроллера отсутствует. Пользователь может выделить дополнительное место для повышения быстродействия (Overprovising), выполнить очистку накопителя (Secure Erase) и просмотреть SMART. Доступно создание загрузочного флеш-накопителя – также для выполнения Secure Erase.

Но при этом объем установочного файла данного программного пакета составляет аж 401 Мбайт (желающие могут убедиться лично).

Samsung 850 EVO 250 Гбайт (MZ-75E250BW)

А вот Samsung отнеслась к разработкам продукции на основе флеш-памяти более серьезно и на данный момент является единственным производителем, который может изготовить твердотельный накопитель исключительно собственными силами, благо располагает собственным производством флеш-памяти, контроллеров, DRAM-памяти и всего остального.

Летом прошлого года компания замахнулась на звание безусловного технологического лидера в производстве твердотельных накопителей и представила линейку 850 Pro. А затем в декабре последовал выход 850 EVO.

Накопитель поставляется в относительно некрупной коробке белого цвета.

Если два буклета (на снимке в самом низу, под гарантийной карточкой) отпечатаны типографским способом, то все остальное – черно-белый лазерный принтер. Да еще и вырезано, судя по всему, ножницами. Привет 1990-м!

Помимо такого подхода, который, надеюсь, в дальнейшем все же сменится нормальной полиграфией, в комплекте прилагается компакт-диск с фирменным ПО Samsung Magician. Кстати, можно отметить исчезновение из комплекта наклеек с логотипом Samsung на системный блок.

Перед нами привычный металлический корпус с глянцевым покрытием под гласасфальт со скосами на гранях. Если 840 EVO был светлым, то здесь – темный, почти черный тон.

С обратной стороны наклеена информационная наклейка, из которой можно почерпнуть лишь общую информацию о модели, прочей полезной информации об устройстве нет. Даже версия микропрограммы, зашитой на заводе, здесь не указана (хотя на нерозничных моделях Samsung это делает).

Винты, скрепляющие дно и крышку, как это повелось еще в 840-м семействе, свободны лишь частично, а частично скрыты под этикеткой. Однако само число винтов сократилось до двух.

Под крышкой скрывается контроллер Samsung MGX и TLC 3D V-NAND, работающая в режиме Toggle Mode и выполненная с соблюдением норм 40 нм техпроцесса, сам контроллер сопровождается микросхемой буферной памяти LPDDR2-1066 объемом 512 Мбайт.

Никуда не делась и фирменная технология, получившая название TurboWrite – все тот же режим «псевдо-SLC», о котором говорилось выше. Но за исключением одной особенности: здесь объем данных, который может быть записан в таком режиме, четко фиксирован в зависимости от объема – равно как и у 840 EVO.

Мало того, здесь присутствует даже некоторое ухудшение: если у 840 EVO размер этого буфера составлял от 9 Гбайт у SSD объемом 120 и 250 Гбайт до 36 Гбайт у SSD объемом 1 Тбайт, то у 850 EVO всего лишь 3 (у моделей на 120 и 250 Гбайт), 6 (модель на 500 Гбайт) и 12 Гбайт (у терабайтной модели). Соответственно, лишь в пределах от 3 до 12 Гбайт запись данных будет происходить быстро. Затем скорость резко падает. Однако достаточно убрать нагрузку и дать накопителю «передышку» буквально на несколько секунд, как режим ускоренной записи снова включится.

Также сохранилась поддержка технологии кэширования Rapid Mode, когда данные сохраняются сначала в специальный буфер в оперативной памяти (помимо буфера в самом накопителе) и только затем уже передаются по интерфейсу SATA. Мы его уже как-то рассматривали, повторяться особо нет смысла, поскольку никаких принципиальных изменений здесь не произошло.

Samsung 850 EVO прекрасно работает с фирменным приложением Samsung Magician.

Кроме того, можно протестировать уровень быстродействия, вручную отправить команду TRIM (полезно для операционных систем без поддержки этой инструкции), обновить микропрограмму напрямую с сайта Samsung, выделить дополнительный объем под резерв контроллера (Over Provisioning), провести полную очистку SSD с помощью подачи команды Secure Erase (а также создать загрузочный накопитель специально для этой цели), активировать режим кэширования Rapid Mode, включить встроенное шифрование.